国产半导体参数分析仪

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品牌：	普赛斯仪表
单价：	1000.00元/台
起订：	1 台
供货总量：	10000 台
所在地：	湖北武汉市
有效期至：	长期有效
最后更新：	2022-07-21 13:52

公司基本资料信息

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产品详细说明

国产半导体参数分析仪可测项目

集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces

集电极-发射极饱和电压Vce sat

集电极电流Ic，集电极截止电流Ices

栅极漏电流Iges，栅极-发射极阈值电压Vge(th)

栅极电阻Rg

电容测量

I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等

普赛斯国产半导体参数分析仪特点和优势：

单台Z大3000V输出；

单台Z大1000A输出，可并联后Z大4000A；

10us的超快电流上升沿；

同步测量；

国标全指标的自动化测试；详询一八一四零六六三四七六

产品参数

项目		参数
集电极-发射极	Z大电压.	3000V
	Z大电流	1000A
	精度	0.10%
	漏电流测试量程	1uA~100mA
栅极-发射极	Z大电压.	300V
	Z大电流	1A(直流)/10A(脉冲)
	精度	0.10%
	Z小电压分辨率	30uV
	Z小电流分辨率	10pA

普赛斯国产半导体参数分析仪集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，pA级电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容，输出电容、反向传输电容等。功率器件静态参数测试系统采用模块化设计，方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。

选择普赛斯仪表的理由：
1、国产自主研发
      技术雄厚，多项砖利，自主可控
2、可定制化方案
      聚焦鲜进器件，提供成熟可落地定制化方案
3、对标进口
      国货精品，品质保障，对标进口产品

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