存储芯片是集成电路的三大品类之一,广泛应用于内存、U盘、消费电子、智能终端、固态存储硬盘等领域,其销售额占据整个芯片产业的比重超过25%,其技术能充分反映一个国家或地区的半导体发展水平。根据赛迪顾问的数据,2014年中国存储芯片市场规模达到2465.5亿元,占国内集成电路市场份额的23.7%。国内存储芯片几乎100%来自进口,每年进口存储芯片的金额高达600亿美元。根据Trendforce的数据,2016年Q3三星电子在全球DRAM存储器领域的份额高达50.2%,SK海力士占24.8%的份额;三星电子在全球NAND FLASH领域的市场份额为36.6%,SK海力士占10.4%的份额。
项目将以存储芯片制造环节为突破口,形成涵盖存储器芯片设计、制造、封装测试、技术研发等全产业链的IDM模式,为国内电子信息产业的转型升级提供有效支撑。我们认为,项目的启动将实现国产存储器芯片从0到1的突破,填补国内存储器产业的空白,表明国家集成电路产业发展战略在存储器芯片领域落地,将有效保障国家信息安全。
从日、韩半导体发展历程上看,日本政府在1976~1979年组织了5家最大的半导体制造商形成集成电路研究团队,并投入大量资金和人力,于1980年研制出64KDRAM存储器(比美国早半年)和256KDRAM存储器(比美国早2年);20世纪80年代末的韩国政府以存储器作为突破口,形成“官民一体”的DRAM存储器研发小组,投入大量资源突破存储器技术,1994年三星电子在全球率先推出256M DRAM,随后韩国半导体产业便超越日本成为世界第一。
目瞄准存储器新兴领域中的3D NAND Flash,通过与飞索半导体合作、集中资源进行先进存储器技术攻关,将有望加速突破技术瓶颈。3D NAND FLASH作为一种新兴的存储器技术,其演进逻辑是依靠三维芯片堆叠而不仅是工艺制程缩小,相比2D NAND FLASH拥有体积更小、容量更大、成本更低等优势。我们认为,项目以3D NAND Flash存储器作为突破口,起点高、投资力度大,在国家的大力支持下,有望突破存储器相关的技术瓶颈并实现量产。
项目的建设将带动国内半导体设备、材料产业发展
