图像可以将光学图像转换为电子信息，在电子光学设备中应用广泛。未来的可穿戴智能设备要求图像传感器具有柔性可以弯曲折叠，而目前在数码相机中广泛应用的集成图像传感器，由于不具有柔性难以满足未来需求。目前研究认为，柔性低维材料是硅基底的理想替代者。
合肥工业大学与韩国成均馆大学近期组成联合科研团队，提出了一种新的界面限域外延生长方法，成功制备出高质量大晶粒非层状结构硒化镍薄膜。他们通过硒化镍微米带阵列的图形化生长，构筑高性能且均匀性好的光探测器阵列，为柔性图像传感器的实现奠定了基础。
据介绍，由于这种新型材料薄膜的晶粒达到微米尺度，晶粒间的晶界减少，显著降低了晶界对载流子的散射，从而大幅提高了光探测器的响应度。实验结果表明，基于微米尺度晶粒的高质量硒化镍薄膜所制备的光探测器，每瓦光照可以获得150安培的电流，其响应度比纳米尺度晶粒的薄膜提高了4个量级。
