麻省理工学院电气工程和计算机科学系教授德尔·阿拉莫表示，随着硅晶体管降至纳米尺度，器件产生的电流量也不断减小，从而限制了其运行速度，这将导致摩尔定律逐渐走到尽头。为了延续摩尔定律，研究人员一直在寻找硅的替代品，以能在较小尺度上产生较大电流。其中之一便是砷化铟镓，已用于光纤通信和雷达技术的该化合物具有极好的电气性能。
阿拉莫团队的研究表明，使用砷化铟镓创建一个纳米尺寸的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是可能的，MOSFET是微处理器等逻辑应用中最常用的类型。晶体管包括3个电极：栅极、源极和漏极，由栅极控制其他两极之间的电流。由于这些微小晶体管的空间十分紧张，3个电极必须被放置得相互非常接近，但即便使用精密的工具，也很难达到精确水平。阿拉莫团队则实现了晶体管栅极在其他两个电极之间进行“自对准”。
研究人员首先使用分子束外延法生长出薄层的砷化铟镓材料，然后在源极和漏极上沉积一层金属钼。研究人员使用电子聚焦束在该基底上“画”出一个极其精细的图案，然后蚀刻掉材料不想要的区域，栅氧化物便沉积到微小的间隙上。最后，将钼蒸汽喷在表面上形成的栅极，可紧紧地挤压在其他两个电极之间。
阿拉莫表示，通过刻蚀和沉积相结合，栅极就能安放在四周间隙极小的电极之间。他们的下一步目标将是，通过消除器件内多余的阻力来进一步改善晶体管的电气性能，并提高其运行速度。一旦实现此一目标，他们将进一步缩减器件尺寸，最终将晶体管的栅极长度减至10纳米以下。
