点击图片查看大图
MOS管击穿电压测试数字源表需要几台源表？搭建方案示意图？
①、三极管测试时一台加在基极与发射极之间，一台加在集电极与发射极之间；MOS管测试时一台加在栅极与源极之间，一台加在漏极与源极之间；需要使用两台直流源表同步触发使用，或使用插卡式直流源表；
②、三极管的基极及MOS管的栅极一般耐压值较低于30V，基于最高性价比考虑，其中一台使用S100即可，另一台根据三极管的集电极或MOS管的漏极耐压而定，普赛斯仪表推出的功率器件静态测试仪可精准测量MOSFET、BJT、IGBT等的静态参数，电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，pA级电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容，输出电容、反向传输电容等。功率器件静态参数测试系统采用模块化设计，方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。
MOS管击穿电压测试数字源表联系我们：
单位名称：武汉普赛斯仪表有限公司
官方网站：http://www.whpssins.com
单位地址：武汉市东湖开发区光谷大道308号光谷动力绿色环保产业园8栋2楼
联系人：陶女士
联系电话：18140663476
027-87993690
工作QQ：1993323884
邮箱：taof@whprecise.com
微信公众号：whpssins_com