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国产半导体参数分析仪可测项目
集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces
集电极-发射极饱和电压Vce sat
集电极电流Ic，集电极截止电流Ices
栅极漏电流Iges，栅极-发射极阈值电压Vge(th)
栅极电阻Rg
电容测量
I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等
普赛斯国产半导体参数分析仪特点和优势：
单台Z大3000V输出；
单台Z大1000A输出，可并联后Z大4000A；
10us的超快电流上升沿；
同步测量；
国标全指标的自动化测试；详询一八一四零六六三四七六
产品参数
| 项目 | 参数 | |
| 集电极-发射极 | Z大电压. | 3000V |
| Z大电流 | 1000A | |
| 精度 | 0.10% | |
| 漏电流测试量程 | 1uA~100mA | |
| 栅极-发射极 | Z大电压. | 300V |
| Z大电流 | 1A(直流)/10A(脉冲) | |
| 精度 | 0.10% | |
| Z小电压分辨率 | 30uV | |
| Z小电流分辨率 | 10pA | |
普赛斯国产半导体参数分析仪集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，pA级电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容，输出电容、反向传输电容等。功率器件静态参数测试系统采用模块化设计，方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。
1、国产自主研发
技术雄厚，多项砖利，自主可控
2、可定制化方案
聚焦鲜进器件，提供成熟可落地定制化方案
3、对标进口
国货精品，品质保障，对标进口产品